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中車時代半導體攜多款產品亮相PCIM Europe 2018

發布時間:2018-06-22 瀏覽量:1341 來源: 字號:[ ]

6月5日至6月7日,歐洲電力電子及應用領域、智能運動和電能質量領先的展覽及會議,也是全球最大的功率半導體展會PCIM Europe 2018在德國紐倫堡國際展覽中心隆重舉辦,中車時代半導體攜多款產品以全新的風格驚艷亮相,吸引了眾多行業專家和客戶駐足交流,反響強烈。

會上,中車時代半導體發布了針對工業變頻、新能源、電動汽車和電力行業推出的中低壓IGBT M系列、H系列和S系列模塊,電壓涵蓋750V、1200V和1700V, 電流涵蓋300A至1400A,為各應用領域提供全系列和極具競爭力的產品;針對HVDC、STATCOM和大功率傳動等應用領域推出的Flexpack壓接式IGBT器件,電壓等級4500V, 電流等級涵蓋800A至3000A, 適用各種嚴苛的應用環境。產品引起了眾多客戶及國內外同行的濃厚興趣,部分客戶還針對后續的合作進行了深入交流。

同時,中車時代電氣在此次展會上還重點推出了IGBT芯片業務。其推出的6英寸和8英寸晶圓分別來自英國和中國工廠,基于TMOS+增強型溝槽柵芯片技術和DMOS+增強型平面柵芯片技術,為眾多模塊封裝廠家提供了技術領先和性價比優良的芯片解決方案,成為中車時代半導體展臺上的又一亮點。

此外,中車時代半導體推出的基于雙面散熱技術的HIPA系列IGBT集成功率模塊、1200V至3300V的TO封裝SBD、混合IGBT模塊和純SiC MOSFET模塊等產品也亮相此次展會,收受到了參展客戶和展商的一致好評。通過PCIM 2018 Europe展會, 中車時代半導體成功向行業主要客戶展示了其研發創新和生產制造能力,通過現場的交流和走訪,使客戶更加深入的了解事業部的產品技術水平、產業化規模和市場影響力,為進一步打開國際市場奠定了良好的基礎。

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